Journal of Henan Agricultural Sciences ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (12): 83-86.DOI: 10.3969/j.issn.1004-3268.2007.12.024
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张祥胜1;押辉远2
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摘要: 利用生物材料专用的低能离子柬注入机,分别以低能(30keV)Ar^+ 0(对照),600×(2.6×10^13),900×(2.6×10^12)和1200×(2.6×10^13)ions/cm^2的剂量注入甘草种子,M1代材料中,900×(2.6×10^13)ions/cm^2剂量处理对甘草具有明显刺激生长效应,而其他剂量没有这种刺激生长作用。分别把对照和900×(2.6×10^13)ions/cm^2剂量处理的植株进行了RAPD多态性比较。从200个引物中筛选出24个引物进行扩增,经分析可以认为,离子柬注入甘草种子在基因结构上没有太多的变化,甘草的这种刺激生长效应是低能离子柬物理刺激的结果。
关键词: 甘草, 离子柬注入, RAPD分析, 氩离子
CLC Number:
S567.7+1
张祥胜;押辉远. 低能离子束注入甘草的刺激效应和诱变效应的RAPD分析[J]. 河南农业科学, 2007, 36(12): 83-86.
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